Forskere hos IBM er kommet et vigtigt skridt nærmere faseskifthukommelse, som kan anvendes i praksis. Forskerne har nemlig fundet en løsning på et af de største problemer for den nye hukommelsestype.
Faseskifthukommelse har ifølge IBM potentiale til at læse og skrive data 100 gange hurtigere, end det i dag er muligt med flash-hukommelse, som er den type hukommelse, der bedst kan sammenlignes med faseskifthukommelse.
Faseskifthukommelse er nemlig i stand til at bevare information uden at være under en konstant spænding, sådan som det er nødvendigt med DRAM. Flash-hukommelse har imidlertid den ulempe, at hver celle kun kan tåle at blive overskrevet et sted mellem 3.000 og 100.000 gange alt efter typen.
Til sammenligning forventer IBM, at faseskifthukommelse kan holde til mindst 10 millioner overskrivninger.
Men hidtil har faseskifthukommelse haft en væsentlig svaghed, som skyldes selve måden, hukommelsen fungerer på. Mellem to elektroder placerer man et lag af et materiale, som skifter struktur, når man leder en strøm gennem det. Strukturændringen sker, fordi den elektriske strøm varmer materialet op.
Typisk er det en legering, som indeholder grundstoffet tellur. Legeringen skifter mellem en krystallinsk struktur og en amorf struktur ved forskellige temperaturer. Krystallinsk vil sige, at molekylerne lægger sig i en gitterstruktur, mens molekylerne i et amorft materiale populært sagt ligger hulter til bulter. Kul er eksempelvis en amorf variant af kulstof, mens grafit og diamant er krystallinske.